晶振的主要參數(shù)
發(fā)布日期:2019-07-19
點(diǎn)擊次數(shù):735
1、標(biāo)稱頻率
該頻率特指晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率，通常標(biāo)識(shí)在產(chǎn)品外殼上。表示為MHz或KHz。
2、調(diào)整頻差
標(biāo)稱頻率在一定溫度（一般是25±2℃）時(shí)工作頻率相對(duì)于標(biāo)稱的頻率所允許的偏差，表示為百分?jǐn)?shù)（%）或百萬(wàn)分之幾（ppm）。
3、頻率穩(wěn)定性
穩(wěn)定性是指標(biāo)稱頻率在一定溫度范圍內(nèi)的允許偏差，規(guī)定在25℃下，此項(xiàng)偏差為0，以標(biāo)稱頻率的百分?jǐn)?shù)（%）或百萬(wàn)分之幾（ppm）來(lái)表示。如前所述，這個(gè)參數(shù)與石英晶片的切角密切相關(guān)。
4、工作溫度范圍
石英晶體元器件在規(guī)定的誤差內(nèi)工作的溫度范圍。
5、溫度頻差
在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對(duì)于基準(zhǔn)溫度（25℃±2℃）時(shí)工作頻率的允許偏差。
6、儲(chǔ)存溫度
晶體在非工作狀態(tài)下保持標(biāo)準(zhǔn)特性的溫度范圍。
7、激勵(lì)功率（Drive level ）
晶體工作時(shí)所消耗功率的表征值。
最大功率是大多數(shù)功率器件在保證正常電氣參數(shù)的情況下，維持工作所消耗的功率，單位為mW或uW。一般情況激勵(lì)功率應(yīng)維持在確保石英晶體正常起振和穩(wěn)定振蕩所需要的最低值，以避免年老化特性不良和晶體損傷。
8、負(fù)載電容（CL）
與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率的有效外界電容。任何外部電容一旦與石英晶體串聯(lián)，即會(huì)成為其諧振頻率的一個(gè)決定因素。負(fù)載電容變化時(shí)，頻率也會(huì)隨之改變。因此，在電路中使用時(shí)，經(jīng)常會(huì)以標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載電容來(lái)微調(diào)頻率至期望值。
9、靜態(tài)電容（C0）
等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容,也叫電容,通常用C0表示。
10、等效串聯(lián)電阻（Rr）
晶體在諧振頻率下的電阻值，單位為歐姆（Ω）。
11、絕緣電阻(Ω歐姆1歐=1k歐)
引線之間或引線和殼體之間的電阻。
12、DLD2
在特定的功率范圍內(nèi)所測(cè)量到的最大與最小阻抗的偏差量。
13、RLD2
在指定的變化功率范圍內(nèi)測(cè)量到的最大阻抗。
14、老化率
工作頻率在特定時(shí)間范圍內(nèi)的變化量，一般表達(dá)為最大值，單位是每年頻率變化量的百萬(wàn)分之幾（ppm/年）。頻率隨時(shí)間而變化的原因有很多，如：密封性和完整性、制造工藝、材料類型、工作溫度和頻率。
15、電源和負(fù)載
晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定性亦受到振蕩器電源電壓變動(dòng)以及振蕩器負(fù)載變動(dòng)的影響。一般考慮為+/-5%或+/-10%。
16、輸出波形
晶體振蕩器有CMOS、TTL、CMOS/TTL兼容、PECL和正弦波輸出。
17 、起動(dòng)時(shí)間
晶體振器從起動(dòng)到穩(wěn)定輸出的時(shí)間，用ms表示。
18 、上升時(shí)間 /下降時(shí)間
波形前沿/后沿在兩規(guī)定電平之間變化的時(shí)間間隔，兩個(gè)電平可以是VOL和VOI兩個(gè)邏輯電平或是其最大幅度的10%和90%（VHT-VLO）
VOL——低電平輸出電壓；
VOH——高電平輸出電壓；
VHI ——脈沖波形的高電平電壓；
VLO——脈沖波形的低電平電壓。
19 、對(duì)稱性（占空比）
輸出電壓達(dá)到規(guī)定電平之上用的時(shí)間t1與輸出電壓達(dá)到該規(guī)定電平以下用的時(shí)間t2之比，用占信號(hào)整個(gè)周期的百分?jǐn)?shù)表示。規(guī)定電平可以是VOL和VOH之間的算術(shù)平均值或幅度峰—峰值的50%。比值表示為： DUTY=t1/(t1+t2) 。
20 、抖動(dòng)
抖動(dòng)與相位噪聲相關(guān)，但是它在時(shí)域下測(cè)量。抖動(dòng)是對(duì)信號(hào)時(shí)域變化的測(cè)量結(jié)果，它從本質(zhì)上描述了信號(hào)周期距離其理想值偏離了多少。以微微秒(ps)表示的抖動(dòng)可用有效值或峰—峰值測(cè)出。
